电池以其能量高、寿命长、无记忆性、无污染等特点在电池行业名列前茅。但是锂离子电池和其他很多类型的电池一样也很容易出现过充电、过放电等现象， 这些情况对锂离子电池更容易造成损害， 从而缩短使用寿命。所以要求锂
国内目前还出现这种电池的核心技术， 本文设计了一种锂离子电池充电电， 此电的电压、电流源基于耗尽型工艺设计， 便于实现低功耗。另外此电的供电电压来源于电池电压， 所以要求此芯片在电池电压变化范围（1~8 V） 内正常工作。本文设计的电以低功耗、高精度、高能量密度、高内阻、高安全性等特性脱颖而出，因此这种锂离子电池电的应用得到了普及。
此芯片是单节电池的电并且过电压、过电流的检测延迟时间是可改变的， 其系统设计框图如图1 所示， 芯片设计VDD、VSS、DP、CO、DO、VM 6 个引脚。通常情况下， 即电池没发生过充电、过放电事件时， CO、DO 都为高电平， DP 端子悬空， 图1 中右半部分的6 个MOSFET是耐高压管。
工作原理是通过连接在VDD 和VSS 之间的电池电压及VM 和VSS 之间的电压差控制充电器的充电和放电。
如图1 所示， 通常状态下， 即电池电压在过放电检测电压（VDL） 以上且在过充电检测电压（VCU） 以下， VM 端子的电压在充电器检测电压（VCHA） 以上且在过电流1 检测电压以下的情况下，设计振荡器模块不工作， 充电控制用MOSFET 和放电控制用MOSFET 的两方均打开。这时可以进行的充电和放电。
当电池出现过充电时， 过充比较器跳变， 过充电检测电压VCU 从H 变成L, 经过过充电检测延迟时间后， 电池充电。同时， 电的输出TCU 为H, 经过一个反馈电使过充电比较器的输入电压升高， 所以电池电压必须下降更多才能使比较器输出变为H.这就实现了过充电滞后电压的设计过程。
当电池过放电时， 过放电检测电压VDL 从H 变为L, 经过时间TDL 后， 电池放电。此时， 通过0 V 充电模块使VM 升高， 从而五个比较器的使能端SD 跳变为无效状态， 此时电中的五个比较器都不工作， 而且振荡器也不工作， 电进入休眠状态。当VM 降低使SD 再次发生改变时， 电解除休眠状态。休眠状态的电流不能超过100 nA。
当VM 端子电压大于过电流1 检测电压， 并且这个状态在过电流1 检测延迟时间以上时， 关闭放电用的FET 从而停止放电。
当VM 端子电压大于过电流2 检测电压， 并且这个状态在过电流2 检测延迟时间以上时， 关闭放电用的FET 从而停止放电。通过不同环形振荡器的振荡频率， 调整过电流的检测延迟时间的长短， 可及时停止放电。
基准电压源电、过充过放迟滞电、0 V 充电电、振荡器电在整个芯片中起到关键的作用。其中多处的基准电压源电分别为各比较器提供合适的参考电压和为振荡器提供合适的起振电压， 并且使比较器和振荡器工作在弱反型区。此处不对各基准电压源的具体数值单独分析， 只对其原理作详细的分析。
但本文的电源电压有时工作在2 V, 此时传统的带隙基准电由于电源电压太低而无法工作在正常的区域； 整个片子要求的功耗非常小， 若采用传统的带隙基准电功耗会过大。本文提出了更有效的办法， 用耗尽型工艺取代了原始的BiCMOS 工艺。
电如图2 所示，M84 为耗尽型管子， 其阈值电压是可调的。在版图设计中M84 单独设计在一个隔离层中， 避免其他器件的干扰。
该电是具有负反馈功能的基准电，产生基准电压Vbd、Vb1、V b2.因为电源在非正常情况下波动范围很大， 所以电容C 的作用是使电对电源波动太大时不； SD 是电工作的使能端， 低电平有效； R22、R21、R25 构成负反馈网络， R23、R24 构成分压电。
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